Mehr Kapazität

Neuer Flashspeicher speichert dreimal mehr Daten

(Bild: Intel)

Der Chiphersteller Intel und der Speicherspezialist Micron haben am Freitag eine neue Flashspeichertechnologie vorgestellt, die Flash-Bausteine mit der weltweit höchsten Speicherdichte ermöglichen soll. Konkret soll die sogenannte 3D-NAND-Technologie eine dreimal höhere Speicherkapazität als bei konkurrierenden Technologien aufweisen.

Flash kommt als Speichertechnologie in nahezu jedem Mobiltelefon und Tablet sowie leichten Ultrabooks zum Einsatz. Da die Skalierungsgrenzen für flache Flashspeicher jedoch nahezu ausgereizt seien, stehe die Speicherindustrie vor großen Herausforderungen, erläuterte Intel.

Die neue 3D-NAND-Technologie hebe diese Grenzen auf, da sie das Moore'sche Gesetz, dem zufolge sich die Speicherdichte alle zwei Jahre verdoppelt, auf Flashspeicher übertrage und so den Weg für weitere Leistungssteigerungen und Kosteneinsparungen sowie den verstärkten Einsatz von Flashspeichern ebne.

3,5 Terabyte auf der Größe eines Kaugummistreifens
Ermöglicht wird dies bei der neuen Technologie durch das Übereinanderstapeln von 32 Schichten aus Speicherzellen. Dadurch seien SSDs in der Größe eines Kaugummistreifens mit mehr als 3,5 Terabyte Speicherkapazität sowie Standard-SSDs im 2,5-Zoll-Format mit einer Kapazität von mehr als zehn Terabyte möglich, teilte Intel mit.

Nachdem erste Probeläufe in der Produktionslinie erfolgreich waren, soll die Massenproduktion des neuen Flashspeichers im vierten Quartal dieses Jahres starten. Beide Unternehmen gehen laut eigenen Angaben davon aus, dass erste Produkte mit der neuen Speichertechnologie innerhalb des nächsten Jahres zur Verfügung stehen.