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06.12.2016 - 07:02

Durchbruch bei IBM für schnellere, kleinere Chips

30.10.2012, 10:44
Forschern bei IBM ist ein Durchbruch gelungen: Sie konnten erstmals über 10.000 funktionierende Transistoren aus Kohlenstoffnanoröhren in einem Chip präzise anordnen und testen. Das Material soll in der Zukunft Silizium ersetzen und zur kommerziellen Produktion von wesentlich kleineren, schnelleren und leistungsstärkeren Computerchips führen.

Kohlenstoffnanoröhren stellten eine neue Klasse von Halbleitermaterialien mit besonders vorteilhaften elektrischen Eigenschaften dar, erklärt IBM in einer Pressemitteilung. Dies gelte besonders mit Blick auf künftige Transistoren, deren Kanallänge im Bereich weniger Nanometer liege. Elektronen könnten sich in den Kohlenstoffnanoröhren schneller bewegen als im Silizium, was leistungsstärkere Transistoren ermögliche. Aufgrund ihrer Form seien die Nanoröhren zudem ideal für den Einsatz in Transistoren geeignet.

Silizium- Nachfolger für kleinere Bauteile

Kohlenstoffbasierte Schaltelemente für Prozessoren hätten das Potential, die konventionelle Siliziumtechnologie abzulösen, so IBM. Schließlich erlaubten sie die weitere Verkleinerung von Computerbauteilen. IBM forsche an ebensolchen Chiptechnologien. "Für Kohlenstoffnanoröhren liegen die Herausforderungen in der benötigten sehr hohen Reinheit und der präzisen Platzierung der Röhren im Nanobereich. Auf beiden Gebieten haben wir bedeutende Fortschritte erzielt“, so Supratik Guha, Leiter der Abteilung Physical Sciences am IBM Thomas J. Watson Research Center in New York.

Bisher sei es Wissenschaftlern nur gelungen, einige hundert Kohlenstoffnanoröhren gleichzeitig zu platzieren, berichtet IBM. Dies sei allerdings nicht annähernd genug, um sie in künftigen Chips mit Milliarden von Transistoren einzusetzen. Den Forschern des Konzerns sei mit einem neuen Ansatz nun aber gelungen, eine große Anzahl der Nanoröhren mit einer hundertfach höheren Dichte als bisher möglich auf vordefinierten Positionen auf einem Chip anzuordnen.

30.10.2012, 10:44
bge
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