Klein und robust

Speicherchip aus Kohlenstoffatomen entwickelt

(Bild: © [2008] JupiterImages Corporation)

Wissenschaftlern der US-amerikanischen Rice Universität ist es gelungen, ein ultradünnes Speichermedium herzustellen, das nur aus einer rund zehn Atome dicken Schicht Kohlenstoff besteht. Diese sogenannten Graphen konnten auf Silikon aufgebracht werden, um darauf ein Bit Daten zu speichern. "Dieses Material ist genau wie das Graphit in einem Bleistift", erklärt James Tour, der Leiter des Forschungsteams. Die Erkenntnisse der Forschung können dazu beitragen, eine Speichertechnologie zu entwickeln, die der momentanen NAND-Flash-Memory-Technik in Speicherkapazität, Schnelligkeit und Widerstandskraft überlegen ist, berichtet "Computerworld".

Die Wissenschaftler konnten Graphen-Schichten mit einem Durchmesser von rund fünf Nanometern produzieren. Derzeit verwendete NAND-Flash-Speicher können momentan bis zu 45 Nanometer klein sein. Die Entwicklung der NAND-Flash-Speicher hin zu immer kleineren Chips wird jedoch laut Prognosen um 2012 abgeschlossen sein. Das Limit der Technologie wird eine Größe von 20 Nanometern sein.

Tour rechnet damit, dass auf Graphen Bits kleiner als zehn Nanometer gespeichert werden können. Auch in puncto Widerstandskraft sind Graphen der Flash-Technik überlegen. Graphen wurden von den Wissenschaftlern Temperaturtests zwischen minus 75 und plus 200 Grad Celsius unterzogen. "Wo Flash Geschichte wäre, haben Graphen kein Problem", sagt Tour.

Die Graphen-Technik ist dem Forscherteam zufolge auch gut geeignet, um dreidimensionale oder gestapelte Speicherchip-Architekturen zu bauen, unter anderem weil Graphen nur wenig Wärme abgeben. Derzeit noch nicht getestet ist die Möglichkeit, mehrere Bits auf einer Schicht Graphen zu speichern, die Wissenschaftler zeigen sich jedoch zuversichtlich. Auch in Hinsicht auf Zugriffsgeschwindigkeit sind die Tests der Forscher noch nicht abgeschlossen. Ziel sei es, mit den Graphen-Speichern eine Zugriffsgeschwindigkeit von rund zehn Nanosekunden zu erreichen. (pte)